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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐 日本CSC司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達(dá)300bar,甚至10-5mbar的高真空。適...
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